- 엘앤디전자는 III-N족 화합물 반도체의 박막 성장 공정 기술 및 고온용 MOCVD 장비기술을 기반으로 한 AlN-platform Epi-wafer를 제조하는 전문 회사입니다.

- 엘앤디전자는 차세대 고주파 전력소자 및 UV 광소자의 핵심 소재인 AlN 반도체 에피웨이퍼를 통하여 관련 시장을 선도하는 소재, 부품 기업을 목표로 합니다.

- 엘앤디전자(L&D Inc.)는 UWBG(Ultra Wide Band Gap)특성을 갖는 AlN (Aluminium Nitride) 소재를 기반으로 전자소자, 광소자, 광센서, 고주파 필터등 여러 분야에서 기존의 화합물반도체 소재를 이용한 소자 보다 우수한 특성을 갖는 소자를 만들 수 있는 AlN 기반 에피택셜 웨이퍼(Epitaxial Wafer)를 개발, 생산하는 전문 회사입니다.

알미늄나이트라이드 화합물 반도체 기반 에피택샬 웨이퍼

1. 2인치 알루미늄나이트라이드 템플레이트 (사파이어 기판)

2. 2인치 알루미늄갈륨나이트라이드 템플레이트 (사파이어 기판)

3. 4인치 알루미늄나이트라이드 템플레이트 (사파이어 기판)

4. 4인치 알루미늄나이트라이드 템플레이트 (실리콘카바이드 기판)

5. 4인치 알루미늄나이트라이드 기반 갈륨나이트라이드 HEMT 에페웨이퍼